产品参数：
• 真空度: 优于2×10-10 Torr
• 5轴样品操纵台，使用高温下耐臭氧的SiC样品加热器，温度范围100～900℃
• 蒸发源法兰：CF35/CF63法兰（8个）
• 配有9个膜厚仪，独立测量每个蒸发源的束流
• 选配RHEED、LEED、AES等原位生长表征功能
• 配有臭氧注入装置，与样品距离可调
• 配有高纯臭氧供给系统
• 兼容多坩埚式电子束蒸发源
• 配有真空控制软件及生长控制软件
• 配有快速进样腔室，真空度优于2×10-8 Torr，可扩展退火功能
• 支持功能定制
